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闪存半导体技术海力士和SanDisk签署闪存合作合同

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韩国海力士半导体和美国SanDisk就双方拥有的闪存技术专利的相互授权和产品供应签订了合同。同时双方还就合资成立NAND型半导体生产销售公司达成了协议。合资公司将由双方对半出资,由海力士负责生产。

  双方今后将致力于NAND型闪存4bit/单元技术的开发等工作。该技术过去是由以色列msystems和海力士合作开发的,SanDisk于2006年11月收购了msystems公司。


来源:日经BP社

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