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三星芯片闪存三星看好手机/消费电子 推出最高4G存储密度闪存芯片

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为了巩固在全球手机和消费电子芯片市场的领先位置,三星电子日前推出一系列移动内存芯片解决方案。

  在日前举行的三星移动方案论坛上,三星半导体业务部总裁HwangChang-Gyu表示,手持设备和消费电子将推动下一波增长。

  目前,全球每年手机和数字消费电子出货量达到20亿。Chang-Gyu表示这个市场“比现在个人电脑市场要大十倍”,而每年PC销售量是2亿台。同时,他预测增长趋势将维持到2010年。

  为了满足手机和数字消费电子间日益增长的数据转移需要,三星希望推出像内存芯片一样的创新数据存储解决方案。

  例如,手机、MP3播放器、数码相机甚至视频播放器都开始配置越来越多数据存储设备,以便为复杂功能提供支持。手机中的内存容量已从10Kb跳升到几百万字节。

  三星最新推出的Flex-OneNAND芯片,在一个硅底板上提供单层和多层单元解决方案。

  Flex-OneNAND是三星推出的第三代多功能熔合半导体芯片,前身是第二代OneNAND嵌入芯片。它结合自己的专有软件程序,可以在单层单元(SLC)和多层单元(MLC)闪存技术之间灵活转换。

  当该芯片被用作专用SLCNAND闪存时,其存储密度为2Gb。

  在更多数据为中心的设计中,该芯片可用作专门的MLCNAND闪存芯片。在那种情况下,其存储密度为4Gb。

  三星表示,为了在设计时节省板上空间,设计人员可以使用单芯片替代原有的SLC类型NAND闪存和MLC闪存。

  例如,通常手机具有一个SLCNAND闪存芯片和一个MLC内存。SLC芯片作为存储中心操作或者应用软件程序。MLC芯片用于数据存储,或者采用扩展槽插入一张MLCNAND闪存卡。

  Flex-OneNAND芯片将在2007年4月开始批量生产,三星预期该芯片销售额达到1亿美元,到2012年达到10亿美元。

  三星也发布了一个移动开发平台套件,结合其独家应用处理器芯片和专有的OneDRAM芯片。

 这个移动开发平台瞄准第三代3.5G高速下行或者WiMax智能手机。手机设计人员可以让应用处理器与基带调制解调器芯片使用共享内存系统,代替各种原有的独立内存系统。

  在2006年12月推出的OneDRAM芯片,单个硅底板上熔合SRAM和DRAM内存系统。这样,手机设计人员可以在使用SRAM高速数据访问的特性下,同时获得DRAM的高密度存储能力。

  该应用处理器集成667MHzARM1176内核,支持接收高清晰视频流文件。

  此外,三星也推出了1.8英寸64GB容量固态存储器(SSD),据称与之前推出的30GB容量SSD相比,在读写速度上分别提高20%和40%。批量生产将在2007年第2季度开始。

  三星也面向高端移动设备推出了840万像素CMOS图像传感器和2.1英寸LCD面板,该面板具备QVGA解像度,配有根据环境亮度调整的传感器。

来源:国际电子商情

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