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内存微软纳米台积电击溃NEC 拿下Xbox360芯片订单

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台积电(TSMC)内存市场布局再传捷报!台积电与微软(Microsoft)共同宣布,未来将采用台积电90纳米(eDRAM)制程生产Xbox360绘图芯片内建内存,这也代表,台积电击溃日本NEC,自代工Xbox360绘图芯片与北桥后,再度攻下一城;而显示双雄eDRAM订单,台积电则全数到手!加上联电(UMC)也积极抢食此市场,嵌入式内存已成为晶圆代工业者的新竞争舞台。

台积电过去便曾以65纳米eDRAM制程替显示芯片大客户恩威迪亚(NVIDIA)代工,主要是用于需要较低功耗的掌上型装置绘图芯片市场;而此次台积电宣布拿下微软Xbox360显示芯片嵌入式内存订单,Xbox360显示芯片乃由超威提供(原本供货商为ATI,后为超威合并),因此台积电eDRAM可说同时获两大绘图芯片双雄的青睐。

据了解,台积电替Xbox360生产的显示芯片嵌入式内存,采90奈米制程,具备80Mb高密度宏设计和500MHz高速效能,目前已投产。半导体业者认为,由于Xbox360在竞争对手任天堂(Nitendo)Wii市场竞争压力下,不得不降价求售,并迫使其从原本供货商NEC转换给成本效率较高的台积电手中生产,同时,台积电过去替大客户NVIDIA生产全套解决方案,也是客户将订单从NEC转而青睐台积电的主因。

台积电先进技术营销处资深处长尉济时表示,微软Xbox360的显示芯片采用台积90纳米eDRAM制程技术,证明台积电此一制程技术的能力与成熟度;微软半导体技术部资深处长BillAdamec则说,台积电提供的制程技术与芯片制造服务,将协助微软提升产品竞争力,强化微软多媒体游戏娱乐系统市场地位。

台积电的eDRAM制程技术已开发90、65纳米制程两个世代,由于台积电已与显示芯片业者合作下一世代55纳米制程技术,预料未来台积电的eDRAM也将顺势进入55纳米制程,而NECeDRAM则已进展55纳米制程,双方差异缩小。NEC同时是微软Xbox360及WiieDRAM的供应晶圆厂,过去在eDRAM市场可说市占极高,但台积电逐渐囊获显示芯片业者青睐,未来压迫到NEC市占率的压力将不断升高。

台积电、联电对于内存市场皆不乏积极作为,台积电预估,今年内存占营收比重可望达个位数,台积电目前最大的内存客户乃是飞索(Spansion)以南科12吋厂先进制程替其量产NORFlash;联电则拿下赛普拉斯(CypressSemiconductor)65纳米以下SRAM订单。而嵌入式内存领域,联电过去也曾与意法半导体携手合作eDRAM,联电董事长兼胡国强认为,未来不论是Flash、eDRAM都是SoC潮流下很重要的一环。

小知识:

eDRAM(增强动态随机存储器)是一种动态随机内存,其在大量的DRAM中包括了一小部分的静态RAM(SRAM),因此许多内存存取将会比SRAM更快。eDRAM有时当作L1和L2型内存并同加强同步动态DRAM一同使用,被称为高速缓冲DRAM。eDRAM用于许多游戏平台,包括PlayStation2、PSP、NintendoGameCube,Wii以及Xbox360。

(来源:新浪游戏)



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