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芯片组存储器性能SiS、Samsung、ASUS和Rambus联合开发下一代Rambus芯片组

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(华强电子世界网讯)SiS、Samsung、ASUS和Rambus宣布联合开发下一代基于RDRAM的芯片组SiSR659,该芯片组将用于高性能计算和多媒体游戏市场。

R659芯片组将是SiS系列第二代RDRAM产品,该芯片组驱动四个通道的1200MHz RDRAM存储器,存储器带宽9.6GBps。据称,R659芯片组比双通道DDR芯片组的性能高50%。它以更快的响应时间和高达16GB的存储容量实现更高性能的结构提高。

该芯片采用标准的RIMM模块,它将SiSR659和SiS964南桥结合在一起,SiS964南桥集成了多达8个端口的USB 2.0和Serial ATA性能。今年第三季SiSR659样品将面世。
(编辑 Rita)
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