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功率沟道器件IR针对感应加热应用推出超高速1200V IGBT

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全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTs) ,该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。

全新1200 V IGBT 器件采用 IR 成熟的纤薄晶圆场沟道技术,提供关键的性能优势,包括可降低功耗和提升功率密度的低 VCE (on) 及超高速开关。此外,新器件还具有 1300 V 重复峰值额定值,以增强系统可靠性。这些 IGBT 与低正向电压高峰值电流软正向恢复二极管一起封装,从而优化共振零电流开启操作。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR 新型 1200 V IGBT 的可靠性极高,而且能够提升功率密度及效率,是感应加热和共振应用的理想之选。”

全新 IGBT 使 IR 的 IGBT 系列在电机驱动和硬开关应用的表现上更加完善。IR 对功率应用的专注,使该公司能够充分优化器件,以满足不同功率系统的技术需求。

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