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光刻电子束纳米道康宁电子部推出XR-1541电子束光刻胶 聚焦下一代光刻技术

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全球材料、应用技术及服务综合供应商美国道康宁公司电子部(Dow Corning Electronics)的硅晶片光刻解决方案事业部今日宣布正式开始供应Dow Corning® XR-1541电子束光刻胶,该产品是专为实现下一代、直写光刻工艺技术开发所设计。这一新型先进的旋涂式光刻胶产品系列是以电子束(electron beam)取代传统光源产生微影图案,可提供图形定义小至6纳米的无掩模光刻技术能力。

  可用于各种高纯度、半导体等级配方的XR-1541电子束光刻胶,是由甲基异丁基酮(methylisobutylketone, MIBK)带性溶剂中的含氢硅酸盐类(hydrogen silsesquioxane ,HSQ)树脂所构成。这些负光刻胶(negative-tone resists)可在标准旋涂沉积涂佈设备上使用,在单一涂佈中形成30到180纳米等不同厚度的薄膜,而定制化的配方还可应客户需求生产更薄或更厚的薄膜。此外,新型光刻胶还提供绝佳的蚀刻阻抗以及下降至3.3纳米的边线定义,可在标准水基显影剂中显影。

  直写式电子束光刻不需任何掩模即可制造非常小的纳米尺度结构。首先将光刻材料的薄膜应用与硅晶片,接着,使用狭窄的电子束将光阻曝光使其在显影剂中不易溶解,而未曝光区域则可被选择性地移除以产生精细的图案。

  “目前,将光刻技术延伸至32纳米节点工艺应用上正面临了技术上和经济效益上的挑战。”道康宁硅晶片光刻解决方案全球行销经理Jeff Bremmer表示,“我们创新的新型光刻胶提供研究机构一个经济的方式,以可能的最高解析度直写图案,将可促进积体电路制造、掩模或纳米压印模具的新一代光刻工艺技术开发。” 。

  许多大学和研究机构已经采用以HSQ为基础的电子束光刻胶直写精细的图案。“藉由XR1541电子束光刻胶在市场上供应,研究机构将更容易购买并取得这些关键硅基材料。”Bremmer指出。

  自2004年进入此一市场以来,道康宁硅晶片光刻解决方案事业部一直为半导体产业提供光刻胶和抗反射涂料的硅基树脂材料。
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